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Goodram 4GB DDR3 4GB DDR3 1600MHz módulo de memoria
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Estilo: Memoria RAM/portátil
Número de artículo: 2098418141

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Goodram 4GB DDR3 4GB DDR3 1600MHz módulo de memoria
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Número de artículo20984181412100943703209994435421009608062100944825
En oferta desde02.08.201816.07.202302.07.202011.08.202318.07.2023
Precio43,69 EUR1.089,29 EUR207,49 EUR310,59 EUR528,49 EUR
Peso0.02kg0.04kg0.10kg0.03kg0.05kg
FabricanteGoodramCrucialCrucialCrucialCrucial
CategoríaHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
Voltaje de memoria1.35 V1.1 V1.2 V1.1 V1.1 V
Latencia CAS11 46 22 46 46
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB2 x 48 GB2 x 16 GB1 x 32 GB1 x 48 GB
Componente paraPortátil Portátil Portátil Portátil Portátil
Velocidad de memoria del reloj1600 MHz5600 MHz3200 MHz5600 MHz5600 MHz
Tipo de memoria internaDDR3 DDR5 DDR4 DDR5 DDR5
Memoria interna4 GB96 GB32 GB32 GB48 GB
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered) Unregistered (unbuffered)
Más funcionessin informaciónsin informaciónso-dimm
ddr4		sin informaciónsin información

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Descripción:

Descripción:GOODRAM - DDR3 - 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - fabricante de RAM del grupo no ECC Wilk Electronics Manufacturer Art. Nr. GR1600S3V64L11S/4G Modelo EAN/UPC 5908267906613 Descripción del producto: GOODRAM - DDR3 - 4 GB - SO DIMM 204-PIN Tipo de producto Capacidad de almacenamiento de RAM 4 GB Tipo de memoria DDR3 SDRAM - SO DIMM 204-PIN Tipo de extensión Integridad de datos genéricos Comprobación velocidad no ECC 1600 MHz (PC3-12800) Períodos de latencia CL11 Características de rango único, Baja tensión, Voltaje sin búfer 1.35 V
Detallidades: Capacidad general 4 GB tipo de extensión Tipo de memoria genérico Tipo de memoria DRAM Tecnología DDR3 SDRAM factor de forma SO DIMM 204-PIN velocidad 1600 MHz (PC3-12800) Latencia veces CL11 Comprobación de integridad de datos no ECC características especiales de un solo rango, baja tensión, organización de chip sin búfer 512 x 8.35 V
N° de fabricante: GR1600S3V64L11S/4G
Seguridad del producto

Especificaciones técnicas

Idioma:

Peso y dimensiones

Ancho67,6 mm

Datos logísticos

Código de Sistema de Armomización (SA)84733020

Características

Voltaje de memoria1.35 V
Velocidad de memoria del reloj1600 MHz
Tipo de memoria internaDDR3
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
Memoria interna4 GB
Latencia CAS11
Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
ECCNo
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB
Configuración de módulos512M x 8
Componente paraPortátil
Color del productoVerde

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