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GOODRAM-DDR3-4GB-SO-DIMM 204 针-1600 MHz/PC3-12800-CL11-1.35 V-无缓冲-非 ECC
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风格： RAM 内存 笔记本电脑
产品编号: 2098418141

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SO-DIMM 48GB DDR5-5600 内存
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物品编号20984181412100943703209994435421009608062100944825
从那以后就提供了02.08.201816.07.202302.07.202011.08.202318.07.2023
价格43,69 EUR1.089,29 EUR207,49 EUR310,59 EUR528,49 EUR
重量0.02kg0.04kg0.10kg0.03kg0.05kg
制造商GoodramCrucialCrucialCrucialCrucial
类别Hardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
的组件不otebook Lap至p 不otebook Lap至p Lap至p
内存布局（模块 x 大小）1 x 4 GB2 x 48 GB2 x 16 GB1 x 32 GB1 x 48 GB
CAS 延迟11 46 22 46 46
存储器电压1.35 V1.1 V1.2 V1.1 V1.1 V
内存时钟速度1600 MHz5600 MHz3200 MHz5600 MHz5600 MHz
内部存储器类型DDR3 DDR5 DDR4 DDR5 DDR5
内部存储器4 GB96 GB32 GB32 GB48 GB
更多功能暂无信息暂无信息so-dimm
ddr4		暂无信息暂无信息

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配饰

描述：

描述：
GOODRAM-DDR3-4 GB-SO DIMM 204-PIN-1600 MHz/PC3-12800-CL11-1.35 V-无缓冲-非 ECC 组内存制造商威尔克电子制造商 SKU GR1600S3V64L11S/4G 型号 EAN/UPC 5908267906613 产品描述：GOODRAM-DDR3-4 GB-SO DIMM 204-PIN 产品类型 RAM 内存容量 4 GB 内存类型 DDR3 SDRAM-SO DIMM 204 针扩展类型通用数据完整性检查非 ECC 速度 1600 MHz (PC3-12800) 延迟 CL11 特性单列、低电压、无缓冲电压 1.35 V 详细信息：通用容量 4 GB 扩展类型通用内存类型DRAM 技术 DDR3 SDRAM 外形规格 SO DIMM 204 针速度 1600 MHz (PC3-12800) 延迟 CL11 数据完整性检查非 ECC 特殊功能单列、低电压、无缓冲芯片组织 512 x 8 电压 1.35 V
Manufacturer No.: GR1600S3V64L11S/4G
产品安全

技术规格

内存

的组件不otebook
内存布局（模块 x 大小）1 x 4 GB
CAS 延迟11
存储器电压1.35 V
模块配置512M x 8
记忆信道Single
内存时钟速度1600 MHz
内部存储器类型DDR3
内部存储器4 GB

功能

产品颜色绿色的

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